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半導(dǎo)體材料電阻檢測設(shè)備-日本napson便攜式電阻檢測儀EC-80P

發(fā)布時(shí)間:2020-12-16 點(diǎn)擊量:1542

半導(dǎo)體材料電阻檢測設(shè)備-日本napson便攜式電阻檢測儀EC-80P

 

產(chǎn)品特點(diǎn)

  • 只需觸摸手持式探頭即可測量電阻。
  • 在電阻/薄層電阻測量模式之間輕松切換
  • 使用JOG撥盤輕松設(shè)置測量條件
  • 連接到連接器的可替換電阻測量探頭可支持多種電阻
  • (電阻探頭:多可以使用2 + PN判斷探頭)

測量規(guī)格

測量目標(biāo)

半導(dǎo)體/太陽能電池材料相關(guān)(硅,多晶硅,SiC等)
新材料/功能材料相關(guān)(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
導(dǎo)電薄膜相關(guān)(金屬,ITO等)
硅基外延,離子與半導(dǎo)體相關(guān)的注入樣品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*請(qǐng)與我們聯(lián)系)

測量尺寸

無論樣品大小和形狀如何均可進(jìn)行測量(但是,大于20mmφ且表面平坦)

測量范圍

[電阻] 1m至200Ω? cm
(*所有探頭類型的總量程/厚度500um)
[抗剪強(qiáng)度] 10m至3kΩ / sq
(*所有探頭類型的總量程)

*有關(guān)每種探頭類型的測量范圍,請(qǐng)參閱以下內(nèi)容。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至0.05Ω-cm)
(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-??cm)
(4)S-高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)
(5)太陽能晶片:5至500Ω/□(0。 2至15Ω-cm)

 

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